BB603M

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

BB603M datasheet

• Маркировка
  BB603M
• Производитель
  Renesas Electronics
• Описание
  Renesas Electronics BB603M Mfr Package Description: MPAK-4 Package Shape: RECTANGULAR Package Style: SMALL OUTLINE Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Position: DUAL Number of Terminals: 4 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE Case Connection: SOURCE Number of Elements: 1 Transistor Application: AMPLIFIER Transistor Element Material: SILICON Power Dissipation Ambient-Max: 0.1500 W Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: DUAL GATE, ENHANCEMENT Transistor Type: RF SMALL SIGNAL Power Gain-Min (Gp): 17 dB Drain Current-Max (ID): 0.0200 A Highest Frequency Band: ULTRA HIGH FREQUENCY BAND Feedback Cap-Max (Crss): 0.0500 pF DS Breakdown Voltage-Min: 6 V
• Количество страниц
  13 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet BB603M.pdf
Файл формата Pdf 71,87 KB